依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：

（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。

（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

氧化铈抛光液氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。氧化铝和碳化硅抛光液是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光

氧化铈抛光液

氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。

适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。

大理石防护晶面抛光液 大理石加光加硬剂是针对大理石表面需追求超高亮度而设计，具有的渗透性和扩散力，能渗入到大理石基料的分子间隙。加光剂內含溶剂性硬蜡，以及对大理石没有腐蚀的微酸性，拥有去污、加硬、加光、防滑四大功能，经打磨产生化学反应，可迅速提升大理石地面的光泽度，令石材保持光洁如新的镜面效果。

使用方法：

1） 先将水磨石地面沙粒，灰尘，蜡质及其他涂层清除干净，水磨石地面需翻新到2000＃以上，然后冲洗地面，吸干或刮干水分，并充分干燥地面。

2） 再将晶面剂按每平方8-15克的用量喷洒于地面，每次处理面积以1-2平方米为佳，配合专业翻新晶面机及合适的重压，采用钢丝垫、红垫或纳米垫将之均匀涂开，打磨至通透晶亮效果。

3） 日常保养，建议用PH值在5-7范围的中性清洁剂清洗，或使用清水清洗。